半導體電子環(huán)氧塑封料（EMC）的耐電痕無鹵阻燃測試

目前硅基半導體芯片所使用的封裝材料主要是環(huán)氧塑封料（EMC），對其電學性能的測試除了高低溫介電溫譜（介電常數(shù)）、常溫高溫電場強度（電擊穿）及常溫高溫絕緣電阻（體積電阻率）測試以外，耐電痕無鹵阻燃也是非常重要的電學性能指標之一。

電痕是指電應(yīng)力和電解雜質(zhì)在相互作用下會在材料的表面（或內(nèi)部）產(chǎn)生導電通道。耐局部放電特性和耐電痕絕緣設(shè)計對EMC來說十分重要，因為當EMC內(nèi)部出現(xiàn)未填充區(qū)域或空隙時，不僅會導致其絕緣強度下降，還會因為空隙中電荷的集中而產(chǎn)生局部放電，導致EMC性能劣化并對芯片產(chǎn)生破壞。衡量EMC耐電痕特性的指標是相比電痕化指數(shù)（CTI），按照絕緣材料的CTI指標范圍可將其分為5類，只有CTI≥600V的EMC才可應(yīng)用于功率電子器件的封裝。當然，無論是功率電子器件還是常規(guī)半導體器件，EMC的無鹵阻燃特性是不變的。

北京華測試驗儀器有限公司所生產(chǎn)的HCDH-2耐漏電起痕試驗儀被廣泛應(yīng)用于半導體、新能源、家用電器等行業(yè)，符合GB/T4207、IEC60112、IEC60335、UL746A等標準。一體化機身設(shè)計，采用10寸觸控屏控制，智能程度高，可實現(xiàn)試驗過程的無人化操作；鉑金電極和全向可調(diào)節(jié)機構(gòu)配合精準的試驗電壓電流（±1%）使得試驗數(shù)據(jù)更加準確。